FCA47N60
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FCA47N60 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $5.762 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
Serie | SuperFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 23.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 417W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 47A (Tc) |
FCA47N60 Einzelheiten PDF [English] | FCA47N60 PDF - EN.pdf |
FAIRCHILD TO-247
RES 390 OHM 5% 4W RADIAL
RES 0.22 OHM 5% 4W RADIAL
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3PN
RES 1.5K OHM 5% 4W RADIAL
IGBT Modules
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
IGBT Modules
RES 1K OHM 10% 4W RADIAL
FCA47N60_F109 Fairchild/ON Semiconductor
RES 33 OHM 5% 4W RADIAL
SEMIKRON New
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
RES 270 OHM 5% 4W RADIAL
IGBT Modules
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
RES 3.3K OHM 5% 4W RADIAL
RES 330 OHM 5% 4W RADIAL
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
RES 100 OHM 5% 4W RADIAL
2025/01/2
2024/10/11
2024/04/11
2024/06/11
FCA47N60Fairchild/ON Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|